一种高岭土-硅烷嵌合插层改性复合物的制备方法技术

本发明专利技术涉及一种制备高岭土-硅烷有机插层复合物的方法。将硅烷嫁接入高岭土层间，形成高岭土-层间硅烷嵌合插层体，其特征在于其层间距d(001)在2.0nm到5.9nm之间。本发明专利技术方法是将硅烷以化学键合作用方式嫁接入层内，且嫁接率高，不同于以往简单的表面吸附的改性过程。可以将硅烷的多个功能基团与高岭土的特有功能特性相互结合补偿，形成具有更好分散性、吸附性、表面活性的复合物，甚至与有机母质在原位发生结合而使片层剥离，达到纳米尺度上的充填。本发明专利技术在纳米复合材料、橡胶塑料填充材料领域具有较大的应用前景。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种高岭土?硅烷嵌合插层改性复合物的制备方法，其特征在于，包含如下合成步骤：①选择200?325目高岭土，提纯去除杂质；②将高岭土与配制好的插层剂溶液混合，在液态条件下对高岭土进行直接插层；③以液态醇对直接插层高岭土反复淋洗3?20次，每次为3?48小时，制得高岭土?醇复合物；④将高岭土?醇复合物加入硅烷溶液，磁力搅拌3～24小时，离心出沉淀物，即得高岭土?硅烷嵌合插层改性复合物。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘钦甫，李晓光，程宏飞，郭鹏，
申请(专利权)人：中国矿业大学北京，
类型：发明
国别省市：