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一种分栅式闪存结构及其制造方法。分栅式闪存结构包括:并排布置的两个分栅单元;所述并排布置的两个分栅单元中的每一个都包括依次层叠的栅极氧化物层、浮栅层、控制栅极氧化物层和控制栅极层;并排布置的两个分栅单元中的每一个都整体上被氧化物覆盖,而形成...该专利属于上海宏力半导体制造有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过上海宏力半导体制造有限公司授权不得商用。
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一种分栅式闪存结构及其制造方法。分栅式闪存结构包括:并排布置的两个分栅单元;所述并排布置的两个分栅单元中的每一个都包括依次层叠的栅极氧化物层、浮栅层、控制栅极氧化物层和控制栅极层;并排布置的两个分栅单元中的每一个都整体上被氧化物覆盖,而形成...