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本发明公开了一种具有多台阶的宽范围光纤真空传感器及其制作方法，包括传感器头、传感器体和传输光纤、以及传感器的支撑结构和传输光纤的容纳结构，所述传感器头为台阶式光纤真空传感器头，具有SiO2氧化层台阶的双层结构，第一层结构为单晶硅晶圆片，第二...
该专利属于天津大学所有，仅供学习研究参考，未经过天津大学授权不得商用。

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