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本发明涉及集成电路制造技术领域，尤其涉及一种改善电容器件击穿电压的方法，通过在刻蚀形成上极板保护层后，且于刻蚀形成上极板前，增加反应金属聚合生成物的去除步骤，以去除电容器表面的金属聚合物残留，进而避免制备的电容器件因为金属化合物残留而导致击...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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