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本发明涉及一种新型硅基超级电容及其制备方法，该方法包括：选择单晶硅片作为芯片基片；在基片上采用MEMS工艺光刻并定义电容制作区域；在电容制作区域刻蚀出黑硅；利用ALD单原子层淀积技术在黑硅上生长电容介质层以及电极层；淀积并图形化金属引出电极...该专利属于北京大学;北京大学软件与微电子学院无锡产学研合作教育基地所有，仅供学习研究参考，未经过北京大学;北京大学软件与微电子学院无锡产学研合作教育基地授权不得商用。