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本实用新型属于半导体光电子器件制造技术领域，具体涉及到一种N型透明电极结构的功率型LED芯片，其具体结构包括：衬底、缓冲层、缓冲层上的本征层、本征层上的N型层、N型层上的发光层、发光层上的P型层、P型层上的电流阻挡层、P型层和电流阻挡层上的...
该专利属于华南理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过华南理工大学授权不得商用。

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