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本实用新型涉及一种单晶炉，该单晶炉的三瓣坩埚位于加热器内；保温筒位于加热器外且架在炉底护盘上；导流筒位于三瓣坩埚之上且在保温筒内；下保温碳毡铺设在炉底护盘上，其特征在于在上保温盖与导流筒之间设有增高环，在增高环的外围以及上保温盖与导流筒之间...
该专利属于浙江虹宇电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过浙江虹宇电子科技有限公司授权不得商用。

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