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本发明公开了一种激光剥离薄膜LED及其制备方法。本发明的激光剥离薄膜型LED的芯片单元包括：n型层、量子阱、在量子阱上的p型层、在p型层上镶嵌的周期性的金属纳米结构、p电极、绝缘层及n电极，上述结构倒扣在衬底上；以及在芯片一角的p焊盘。本发...
该专利属于北京大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京大学授权不得商用。

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