温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供一种碳化硅半导体装置及碳化硅半导体装置的制造方法，以在分割成多个芯片的碳化硅半导体衬底中，分割后能够抑制放电产生。本发明包括：n＋型衬底（1）；n＋型衬底1上形成的杂质浓度比n＋型衬底（1）低的漂移外延层（2）；漂移外延层（2）上...
该专利属于三菱电机株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三菱电机株式会社授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。