温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开的一种横向沟槽MOSFET包括在绝缘体上硅衬底上方形成的介电隔离沟槽。横向沟槽MOSFET还包括在漏极/源极区和绝缘体之间形成的第一漂移区，以及在介电隔离沟槽与绝缘体之间形成的第二漂移区。介电沟槽和绝缘体有助于完全耗尽漂移区。被耗...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。