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本发明提供一种六晶体管静态随机存储器单元,所述存储器单元至少包括:第一反相器,由第一PMOS晶体管及第一NMOS晶体管组成;第二反相器,由第二PMOS晶体管及第二NMOS晶体管组成;传输门,由第三NMOS晶体管及第四NMOS晶体管组成;其中...该专利属于中国科学院上海微系统与信息技术研究所所有,仅供学习研究参考,未经过中国科学院上海微系统与信息技术研究所授权不得商用。
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本发明提供一种六晶体管静态随机存储器单元,所述存储器单元至少包括:第一反相器,由第一PMOS晶体管及第一NMOS晶体管组成;第二反相器,由第二PMOS晶体管及第二NMOS晶体管组成;传输门,由第三NMOS晶体管及第四NMOS晶体管组成;其中...