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本发明公开了一种通孔结构的纯α-SiC材料的制备方法，利用碳化硅粉与碳化硼粉混合均匀并装入石墨坩埚，放入感应烧结炉中，在坩埚顶部盖上石墨纸或石墨盖，抽真空并充入高于4×104Pa的氩气后加热至2100～2600℃，保温0.5～4h，高温下B...
该专利属于西安交通大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安交通大学授权不得商用。

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