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本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。根据一个实施例，所述半导体器件包括：第一、第二、第三、第四和第五半导体区，绝缘膜，控制电极以及第一和第二电极。所述第一、第二、第三、第四和第五半导体区包括碳化硅。所述第一半导体区具有第一杂质浓度，并且...
该专利属于株式会社东芝所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社东芝授权不得商用。

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