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本发明涉及一种半导体器件。在半导体器件中的静电保护电路包括在平行于半导体衬底的第一方向上延伸的第一第一导电类型阱、在一端耦合到第一第一导电类型阱的长边的情况下在平行于半导体衬底并且垂直于第一方向的第二方向上延伸的第二第一导电类型阱、和在第一...
该专利属于瑞萨电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过瑞萨电子株式会社授权不得商用。

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