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本发明提供一种耐热冲击性优良的系统级封装型半导体装置。所述系统级封装型半导体装置的特点在于满足下述条件：1）底部填充剂硬化物的Tg大于等于100℃，并且，与树脂密封剂硬化物的Tg之差小于等于20℃，2）底部填充剂硬化物在小于等于（Tg-30...
该专利属于信越化学工业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过信越化学工业株式会社授权不得商用。

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