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本发明公开了一种氮掺杂P型二氧化锡薄膜及其制备方法。薄膜为二氧化锡薄膜中掺杂有百分含量为1～30％的氮元素，其1s电子结合能为394.5～398.5电子伏特，薄膜的导电类型为p型，其电阻率为0.14～12Ω·cm、空穴迁移率为0.62～3....该专利属于中国科学院合肥物质科学研究院所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院合肥物质科学研究院授权不得商用。
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本发明公开了一种氮掺杂P型二氧化锡薄膜及其制备方法。薄膜为二氧化锡薄膜中掺杂有百分含量为1～30％的氮元素，其1s电子结合能为394.5～398.5电子伏特，薄膜的导电类型为p型，其电阻率为0.14～12Ω·cm、空穴迁移率为0.62～3....