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本发明公开一种In2O3镂空状纳米四面体结构及其制备方法；该材料是在通过水热发制备出的钛酸盐纳米线基底上，通过磁控溅射技术制备出高比表面积、高通透率的In2O3纳米四面体；该结构具有良好光催化性能与导电性能。...
该专利属于浙江理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过浙江理工大学授权不得商用。

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