一种In2O3镂空状纳米四面体结构及其制备方法技术

技术编号:9136617 阅读:145 留言:0更新日期:2013-09-11 23:51
本发明专利技术公开一种In2O3镂空状纳米四面体结构及其制备方法;该材料是在通过水热发制备出的钛酸盐纳米线基底上,通过磁控溅射技术制备出高比表面积、高通透率的In2O3纳米四面体;该结构具有良好光催化性能与导电性能。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种镂空状纳米四面体结构,其特征在于:在钛酸盐纳米线基底上生长In2O3镂空状纳米四面体结构;所述In2O3镂空状纳米四面体是由多个枝干状In2O3枝干定向规则自组装而成的。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:陈旭董文钧
申请(专利权)人:浙江理工大学
类型:发明
国别省市:

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