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本实用新型提供了一种半导体结构，包括：衬底(100)，所述衬底（100）包括位线方向和字线方向；栅堆叠，位于所述衬底(100)之上，所述栅堆叠由第一绝缘层（110）和浮栅、第二绝缘层（170）和控制栅（180）从下往上依次堆叠而成；所述浮栅...
该专利属于李迪所有，仅供学习研究参考，未经过李迪授权不得商用。

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