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本发明提供一种能够抑制多晶体的生成的SiC单晶体的制造装置。在腔室（1）内容纳有夹具（41）和坩埚（6）。在坩埚（6）内容纳有SiC溶液（8）。夹具（41）包括晶种轴（411）和盖构件（412）。晶种轴（411）能够升降，在晶种轴（411）...该专利属于新日铁住金株式会社;丰田自动车株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过新日铁住金株式会社;丰田自动车株式会社授权不得商用。
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