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本发明公开了一种超高密度单层纳米晶存储器的制备方法，先用ALD方法在干净的半导体衬底上生长一层3~10nm厚的高介电隧穿层，形成高介电薄膜；接着将3～8nm粒径可控、单分散好的金属纳米颗粒浸渍涂覆或旋涂在高介电薄膜上，自组装成有序排列的单层...
该专利属于南京大学所有，仅供学习研究参考，未经过南京大学授权不得商用。

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