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一种降低冗余金属耦合电容的通孔优先双大马士革铜互连方法。在衬底硅片上沉积介质层，随后在介质层上涂布第一光刻胶；通过曝光和显影在第一光刻胶膜中形成通孔结构和冗余金属槽结构，其中第一光刻胶中形成的金属槽结构穿透第一光刻胶；在同一显影机台内，在第...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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