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本发明涉及一种基于合金化的高硅钢薄带及其制备方法。其技术方案是：高硅钢薄带的硅含量为5.5~7.0wt%，铜含量为0.05~2.5wt%，其余为铁及不可避免的杂质。制备方法是：先按所述高硅钢薄带的化学组分，以工业纯铁、商业用硅和纯铜为原料配...
该专利属于武汉科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过武汉科技大学授权不得商用。

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