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本发明揭示一种硅激光器-量子阱混合晶片结合的集成平台。通过将化合物半导体材料的晶片作为有源区结合到硅并移除衬底，可在硅衬底上使用标准光刻技术处理激光器、放大器、调制器和其它装置。根据本发明的一个或一个以上实施例的硅激光器混合集成装置包括包括...
该专利属于加利福尼亚大学董事会所有，仅供学习研究参考，未经过加利福尼亚大学董事会授权不得商用。

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