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本发明涉及半导体器件及其制造方法。一种半导体器件，包括：半导体元件；支撑基板；用于密封半导体元件及其周边的绝缘材料层；在绝缘材料层中提供的金属薄膜布线层，其一部分暴露在外表面上；以及在绝缘材料层中提供并电连接到金属薄膜布线层的金属过孔，其中...
该专利属于株式会社吉帝伟士所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社吉帝伟士授权不得商用。

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