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本发明公开了一种金属氧化物半导体场效应管的制造方法，包括：在基底上形成栅极并在栅极靠近漏极区域的一侧形成离子注入屏蔽侧墙；以所述栅极和离子注入屏蔽侧墙为掩膜，对所述基底进行重掺杂离子注入，形成源极和漏极；去除所述离子注入屏蔽侧墙；对所述基底...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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