温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种去除硅纳米晶的方法，该方法是采用化学机械研磨的方法实现的，该化学机械研磨是以氮化硅作为研磨的终止层，并且该化学机械研磨是在二氧化硅/氮化硅/硅纳米晶/HTO四层结构生成之后进行的。本发明提供的去除硅纳米晶的方法，用于清除存储...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。