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本公开内容的实施例包括一种方法：提供衬底；将多晶硅层形成在衬底上方；将第一光刻胶层形成在多晶硅层上方；在第一光刻胶层上方制造第一图案，其中，所述多晶硅层的某些部分被第一光刻胶层覆盖并且所述多晶硅层的某些部分没有被第一光刻胶层覆盖；将离子注入...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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