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本发明公开了一种提高LED(发光二极管)出光效率的方法，将纳米图形化P型GaN层和纳米图形化透明电极的方法结合起来，即在一个LED芯片上先纳米图形化P型GaN层，制作透明电极后，再纳米图形化透明电极。一种制备双层纳米图形化LED的工艺步骤为...
该专利属于中山大学所有，仅供学习研究参考，未经过中山大学授权不得商用。

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