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本发明公开了一种高效晶体硅异质结太阳能电池的制备方法，包括：在p型晶体硅衬底背表面进行硼扩散形成p+p结构，形成硼的重掺背场；在p型晶体硅衬底前表面淀积本征纳米硅薄膜；在本征纳米硅薄膜上淀积n型非晶硅薄膜；在衬底背表面淀积富氢非晶碳化硅薄膜...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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