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本发明涉及利用侧壁图像转移技术形成SRAM装置的方法，在一示例中，本发明方法包含：在半导体基板上方形成硬掩模层；在该硬掩模层上方形成图案化间隙壁掩模层，其中，该图案化间隙壁掩模层由多个第一间隙壁、第二间隙壁以及第三间隙壁组成；以及通过该图案...
该专利属于格罗方德半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过格罗方德半导体公司授权不得商用。

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