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本发明采用溶胶式试剂作为顶栅TFT阵列的制作材料，通过旋涂的方式将溶胶转移到玻璃基板上，利用光刻的方式直接实现了TFT有源矩阵的有源层、绝缘层、栅极电极层、源漏电极层的图形化转移，采用本方法的TFT有源矩阵制造工艺简单，减少了一次光刻的工艺...
该专利属于上海大学所有，仅供学习研究参考，未经过上海大学授权不得商用。

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