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本发明提供集成电路以及用于处理具有埋入特征的集成电路的方法，一种用于使埋入铜特征凹进衬底内部的工艺，以及一种用于使埋入铜互连凹进集成电路的层间介电衬底内部的工艺。在具体实施例中，一种用于使埋入铜特征凹进衬底内部的方法包括：提供有埋入铜特征配...
该专利属于格罗方德半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过格罗方德半导体公司授权不得商用。

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