温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明揭露在替代栅极结构上方形成栅极覆盖层的方法以及相关装置。在一示例中，本发明的装置包括具有凹入上表面的替代栅极结构，邻近该替代栅极结构的侧间隙壁以及位于该替代栅极结构上方的栅极覆盖层，其中，该栅极覆盖层的底部表面对应该替代栅极结构的该凹...
该专利属于格罗方德半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过格罗方德半导体公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。