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本发明公开了一种c取向蓝宝石单晶的新型生产方法，在坩埚的籽晶槽内放置c取向蓝宝石籽晶，填充高纯氧化铝原料，抽真空后加热，使氧化铝原料全部熔化，籽晶部分熔化，以0.01℃/h～10℃/h的速率缓慢降温，将固液界面控制为与c面呈一定角度的平面，...
该专利属于苏州海铂晶体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州海铂晶体有限公司授权不得商用。

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