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本发明公开了激光二极管以及制造激光二极管的方法，一种激光二极管包括：半导体基底，由六方晶系III族氮化物半导体制成并且具有沿{2,0,-2,1}方向定向的半极性面；外延层，包括形成激光的光波导的发光层，并且形成在半导体基底的半极性面上，所述...
该专利属于住友电气工业株式会社;索尼公司所有，仅供学习研究参考，未经过住友电气工业株式会社;索尼公司授权不得商用。

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