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在形成器件的方法中，蚀刻(110)硅衬底以在(110)硅衬底中形成第一沟槽，其中，位于第一沟槽之间的(110)硅衬底的剩余部分形成硅条。硅条的侧壁具有(111)表面方向。用电介质材料填充第一沟槽以形成浅沟槽隔离(STI)区域。去除硅条以形成...该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。
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在形成器件的方法中，蚀刻(110)硅衬底以在(110)硅衬底中形成第一沟槽，其中，位于第一沟槽之间的(110)硅衬底的剩余部分形成硅条。硅条的侧壁具有(111)表面方向。用电介质材料填充第一沟槽以形成浅沟槽隔离(STI)区域。去除硅条以形成...