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本发明提供用于在形成在半导体基板上的沟槽内形成掩埋导电层的方法、用于控制外延生长的半导体材料的厚度的方法、用于控制外延生长的半导体材料的厚度的方法、用于形成沟槽栅型晶体管的方法。方法包括：在半导体基板和所述沟槽的上表面上形成第一介电材料层；...
该专利属于飞兆半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过飞兆半导体公司授权不得商用。

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