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本发明涉及一种III族氮化物纳米结构的制作方法，采用电子束直写曝光形成纳米图形并结合金属掩模和干法刻蚀手段，得到III族氮化物纳米结构材料。本发明的制作方法简单易行，并且具有图形尺寸可控、位置分布有序等优点，非常适用于纳米发电机、自驱动传感...
该专利属于国家纳米科学中心所有，仅供学习研究参考，未经过国家纳米科学中心授权不得商用。

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