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一种DARM存储器省电方法技术
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文档序号:8906800
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本发明提供了一种DRAM存储器省电方法,包括以下步骤:T0时刻DRAM接收激活指令;T1时刻关断多出的行地址接收器及对应解码电路;TA时刻接收读或写操作指令,进行读或写操作;TB时刻接收预充指令,执行预充指令;TB+1时刻再次打开所有行地址...
该专利属于西安华芯半导体有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过西安华芯半导体有限公司授权不得商用。
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