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一种降低失调电压影响的带隙基准电压电路，基于传统的带隙基准电压电路结构，设有PNP三极管Q1、Q2和Q3、运算放大器OP、电阻R1和R2、PMOS管M1、M2和M3，其特征在于：在PNP三极管Q1及Q2的发射极与基极之间分别增设电阻R3及R...
该专利属于东南大学所有，仅供学习研究参考，未经过东南大学授权不得商用。

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