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本发明公开了一种低密度InAs量子点的生长方法，该方法包括：步骤1：生长InAs有源层量子点前插入InAs牺牲层量子点；步骤2：原位高温退火使InAs牺牲层量子点完全解吸附；步骤3：微调InAs牺牲层量子点二维到三维转化的临界生长参数，生长...
该专利属于中国科学院半导体研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院半导体研究所授权不得商用。

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