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一种集成电路（100）包括具有并行交替的有源间隙漂移区和场间隙漂移区的延伸漏极MOS晶体管（102）。延伸漏极MOS晶体管包括在场间隙漂移区上具有场板的栅极。延伸漏极MOS晶体管可以以对称嵌套配置形成。用于形成包含延伸漏极MOS晶体管的集成...
该专利属于德克萨斯仪器股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过德克萨斯仪器股份有限公司授权不得商用。

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