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本发明提供了一种不对称异质结构FET及制造方法。该结构包括半导体衬底（10）和在半导体衬底（10）上外延生长的半导体层（15）。外延生长的半导体层（15）包含合金，具有在沟道区域中限制反型载流子的带结构和厚度以及位于掺杂边缘处的更厚部分，所...
该专利属于国际商业机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过国际商业机器公司授权不得商用。

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