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一种半导体失效分析结构及其形成方法、检测失效时间的方法，其中所述半导体失效分析结构包括：半导体衬底，所述半导体衬底具有待测区、第一串联区和第二串联区；位于所述半导体衬底的待测金属层、第一金属层和第二金属层；位于层间介质层内的第一导电插塞使第...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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