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提供一种在硅层中刻蚀特征的方法。在该硅层上方形成硬掩模层。在该硬掩模层上方形成光刻胶层。打开该硬掩模层。剥离该光刻胶层，通过提供剥离气体；通过提供高频RF能量和低频RF能量用该剥离气体形成等离子体，其中该低频RF能量的功率小于50瓦；以及当...
该专利属于朗姆研究公司所有，仅供学习研究参考，未经过朗姆研究公司授权不得商用。

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