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一种具有高反射薄膜的紫外发光二极管及其制作方法技术
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下载一种具有高反射薄膜的紫外发光二极管及其制作方法的技术资料
文档序号:8835630
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本发明公开了一种具有高反射薄膜结构的AlGaN基紫外发光二极管器件及制作方法,其涉及微电子技术领域,主要解决紫外发光二极管背面出光结构中出光效率低的问题。该器件依次包括:衬底、AlN成核层、n型AlGaN势垒层、有源区、p型AlGaN势垒层...
该专利属于中国科学院半导体研究所所有,仅供学习研究参考,未经过中国科学院半导体研究所授权不得商用。
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