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本发明公开了一种基于Cu膜退火的SiC与氯气反应侧栅石墨烯晶体管制备方法，主要解决现有技术制备的石墨烯连续性差及顶栅结构晶体管沟道载流子迁移率降低等问题。其制作步骤是：在清洗后的SiC样片表面淀积SiO2掩膜层，并在SiO2掩膜层表面光刻出...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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