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本发明提供了一种接触孔中的阻隔层及其制造方法，其中，所述接触孔中的阻隔层的制造方法包括：提供半导体基底，所述半导体基底上具有开口；在所述开口中形成Ti层；等离子体轰击所述Ti层，形成第一TiN层；在所述第一TiN层上形成第二TiN层。在本发...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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