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用于等离子体浸没注入中控制注入元素分布陡度的方法技术
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文档序号:8835227
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本发明公开了一种用于等离子体浸没注入中控制注入元素分布陡度的方法,属于半导体制备技术领域。所述方法通过多能量注入的方式进行离子注入掺杂,所述多能量是在一个能量区间的不同能量,该能量区间存在最低能量与最高能量,所述最低能量是实现掺杂元素注入而...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有,仅供学习研究参考,未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。
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